基金委发布关于后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划 2024年度项目指南的通告
近期，基金委发布关于后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划
2024年度项目指南的通告，具体情况见：https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab442/info92645.htm
一、科学问题
针对后摩尔时代芯片技术的算力瓶颈，围绕以下三个核心科学问题展开研究：
（一）CMOS器件能耗边界及突破机理。
（二）突破硅基速度极限的器件机制。
（三）超越经典冯∙诺依曼架构能效的机制。
二、2024年度重点资助研究方向
（一）培育项目。
1. 超低功耗器件的理论、材料与集成技术。
2. 高速高性能器件的理论、材料与集成技术。
3. 高能效计算与存储架构。
（二）重点支持项目。
1.超低温下的弹道输运器件。
2.高迁移率堆叠沟道围栅CMOS器件。
3.高鲁棒性的SRAM存算一体架构及其大规模扩展架构研究。
4.融合不同存储介质的异构存算一体架构研究。
5.面向科学计算的高精度模拟计算架构研究。
6.面向新型计算器件的异构众核架构设计方法。
(三)集成项目。
1.面向大规模CMOS集成的二维半导体技术。
2.RISC-V与存算一体异构融合芯片。
3.数据驱动存算集成计算架构。
三、资助计划
2024年度拟资助培育项目5项，直接费用的平均资助强度约为80万元/项，资助期限为3年，培育项目申请书中研究期限应填写“2025年1月1日-2027年12月31日”；拟资助重点支持项目6项，直接费用的平均资助强度约为300万元/项，资助期限为3年，重点支持项目申请书中研究期限应填写“2025年1月1日-2027年12月31日”。拟资助集成项目3项，直接费用的平均资助强度约为1500万元/项，资助期限为3年，集成项目申请书中研究期限应填写“2025年1月1日-2027年12月31日”。
四、校内提交时间
2024年6月24日至6月28日16时（北京时间）。
五、校内联系人
科研院基金人才办公室
刘斌、章俊梅，021-34206890
